Multicapas de VO₂/SiO₂ y VO₂/TiO₂ de tres periodos fueron sintetizadas sobre substratos monocristalinos de Si (100) con buffer de SiO₂ y TiO₂, respectivamente. La caracterización estructural por difracción de rayos X (XRD) de ambas multicapas, a temperatura ambiente, mostraron el pico de difracción correspondiente al plano cristalográfico (011) bien definido evidenciando la presencia de la fase VO2 (M1). Para [VO₂/TiO₂] x 3, el pico de difracción originado por los planos (011), mostró un ligero corrimiento hacia valores más bajos del ángulo, en relación al pico patrón. Las medidas del transporte electrónico en función de la temperatura, para las multicapas [VO₂/SiO₂] x 3, mostraron transición eléctrica a temperaturas de 55 °C y 58 °C y ancho de histéresis (DH), de 9 °C y 6 °C, respectivamente. En el sistema [VO₂/TiO₂] x 3, la transición eléctrica ocurrió a 74 °C, con un ancho de histéresis sumamente estrecho (~2 °C). Nuestros resultados sugieren que el comportamiento de la histéresis, así como el corrimiento mostrado por el pico experimental del plano (011), puede ser interpretado como consecuencia de la difusión de iones de Ti⁺⁴ hacia los sitios del V⁺⁴ en el VO₂, debido a la alta temperatura del sustrato durante la deposición. Así, las impurezas de Ti⁺⁴ difundidas, actúan como núcleos de transformación de fase en el VO₂, disminuyendo la energía de activación de la transformación de fase, explicando de esta manera la estreches de la histéresis observada.